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      薄報學

      學歷/學位:研究生/博士

      職稱/導師:研究員/博士生導師

      系所:高功率半導體激光重點實驗室

      行政職務:

      通訊地址:長春市衛星路7186號,理工科技大廈A座309

      聯系電話:0431-85583389

      郵政編碼:130022

      電子郵件:bbx@cust.edu.cn

      個人簡介:

              學習簡歷:
              1982-1989:吉林大學半導體系,半導體物理與器件專業,本科/碩士研究生
              1999-2002: 吉林大學電子工程學院,微電子學與固體電子學專業,博士研究生

              工作簡歷:
              1989-2002: 長春理工大學半導體激光實驗室,助教/講師/副教授/教授/博導
              2002-2003: 新加坡南洋理工大學,Research Fellow
              2003-現在: 長春理工大學高功率半導體激光國家重點實驗室,研究員,博導

              獲國家、省部級科技成果獎7項;發表學術論文150余篇。

      研究方向:

              高功率半導體激光器設計、工藝與特性評價

      所屬學科及導師類別:

              光學工程  博士生導師

      代表性科研項目:

              國家自然基金項目 基于擴展透明窗口的1.06um波長高功率、高階DFB單模半導體激光器研究,2018-2021
              吉林省科技發展計劃項目976nm高功率半導體激光器芯片關鍵技術研究,2019-2021

      代表性論文或專利:

              發表學術論文150余篇、授權國家發明專利12項。
              Qiao, ZL et al., High-performance 1.06-um InGaAs/GaAs double-quantum-well semiconductor lasers with asymmetric heterostructure layers, Semicon.Sci. & Technol. 34(5),2019
              Qiao, ZL et al.,Monolithic Fabrication of InGaAs/GaAs/AlGaAs Multiple Wavelength Quantum Well Laser Diodes via Impurity-Free Vacancy Disordering Quantum Well Intermixing, IEEE J. Electron Devices Soc.,5(2),2017
              Zhou, Lu et al.,Facet Passivation of GaAs based LDs by N2 plasma pretreatment and RF sputtered AlxNyfilm coating, J. Lightwave Technol., 31(13),2013
              Gao Xin et al.,Fabrication of high power, high-efficiency linear array diode lasers by pulse anodic oxidation, Japanese J. Appl. Phys.,45(9A),2006
              Bo,Baoxue, Rhombus-like stripe BA InGaAs-AlGaAs-GaAs lasers, IEEE Photon. Technol. Lett., 16(5),2004

      獲獎:

              半導體激光泵浦固體激光技術/InGaAsP/GaAs高功率半導體激光器,國家科技進步三等獎(第3名),1999

      社會兼職:

              國際光學工程學會(SPIE)、中國光學工程學會會員等。

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